Snapdragon 835 será feito pela Samsung e vem com Quick Charge 4.0

O ritmo evolutivo dos SoC no sector mobile continua em passo acelerado, e para o próximo ano a Qualcomm aposta no Snapdragon 835 como novo topo de gama, que será fabricado pela Samsung com tecnologia de 10nm.

A simples transição dos 14nm do Snapdragon 820 para os 10nm no Snapdragon 835 será suficiente para garantir que este chip seja mais eficiente, e que a par de outros melhoramentos resultarão num desempenho 27% superior e consumo até 40% inferior.

Para fabricar este chip com tecnologia FinFET de 10nm, da mais avançada neste momento, a Qualcomm vai recorrer à Samsung; e para além das melhorias feitas a nível do processador teremos também o novo sistema de carregamento Quick Charge 4.0. Aqui a promessa e a de que bastarão 5 minutos de carregamento para se ter 5 horas de utilização do dispositivo, com melhorias de 20% na velocidade de carregamento e 30% na eficiência face ao Quick Charge 3.0. Mais importante, o Quick Charge 4.0 promete ser compatível com o USB Power Delivery do USB Type-C, pelo que deverá acabar com as questões de incompatibilidades que a Google referiu recentemente.

É bem provável que os futuros Galaxy S8 venham a ser dos primeiros smartphones a dar uso a este Snapdragon 835 (para os mercados em que a Samsung não aplica os seus Exynos), mas teremos que esperar até 2017 para descobrirmos que melhorias "reais" o 835 trará face ao 820/821.