Intel e Micron criam memória revolucionária 3D XPoint

A Intel e a Micron criaram uma nova tecnologia de memória que promete fazer esquecer as memórias flash usadas em praticamente todos os dispositivos actuais. Com este 3D XPoint abrem-se as portas para podermos ter terabytes nos smartphones, a velocidades 1000 vezes mais rápidas que as memórias flash NAND.

As memórias flash vieram dar resposta à necessidade de se manter informação em memória sem gastar energia (memórias não voláteis), mas fazem-no à custa de algumas limitações: custo mais elevado que a memória RAM; número de ciclos de escrita limitados; e um tempo de escrita lento. São factores que têm sido contornados de várias formas, normalmente envolvendo complexidade adicional (como os controladores existentes nos SSDs, que gravam para múltiplos chips simultaneamente para aumentar a velocidade; e vão distribuindo os blocos a serem gravados de forma a não gastar prematuramente o número limitado de escritas num determinado bloco).

Há muito que os fabricantes procuram alternativas às memórias Flash, e agora a Intel e a Micron dizem ter encontrado o substituto perfeito com esta tecnologia 3D XPoint.

Usando um sistema de interligação em 3D, esta tecnologia permite criar chips com densidades de memória muito superiores às das memórias flash convencionais, dispensando por completo o uso de transístores para cada bit de memória. O resultado prático é um chip que pode guardar até 10 vezes mais informação que um chip flash; com velocidade e durabilidade 1000 vezes superiores!

A Intel ainda não revelou quais serão os seus pontos "menos positivos", mas em breve descobriremos (caso existam). Estas novas memórias começarão a ser disponibilizadas ainda este ano a parceiros seleccionados, e esperemos que em 2016 já comecem a surgir no mercado produtos que nos permitam aproveitar as suas vantagens - nomeadamente, a de tornar os anacrónicos ecrãs de "loading..." numa memória do passado.