Samsung revela V-NAND Flash de 900 camadas

A Samsung criou uma memória V-NAND Flash de 900 camadas, empilhando dois módulos de 450 camadas.

A Samsung deu mais um passo importante no desenvolvimento de memória NAND Flash de próxima geração e está a aproximar-se do objectivo de criar chips com 1.000 camadas até ao final da década. A mais recente evolução passa pela combinação de dois módulos V-NAND de 450 camadas num único chip de 900 camadas, recorrendo a uma tecnologia avançada de empilhamento que poderá permitir aumentar significativamente a capacidade de armazenamento sem aumentar proporcionalmente o espaço físico ocupado.

Para alcançar este resultado, a empresa está a utilizar uma técnica proprietária chamada Cell Multi-Bonding (CMB). O processo cria uma ligação permanente entre dois chips de silício através da união de pequenas ligações metálicas microscópicas, permitindo que funcionem como uma única unidade. Esta abordagem torna-se especialmente importante numa altura em que aumentar simplesmente o número de camadas dentro de um único chip se está a tornar cada vez mais difícil do ponto de vista de fabrico e das taxas de sucesso (uma falha numa única camada pode arruinar todo o chip).

A Samsung já tinha apresentado no ano passado a sua 10ª geração de V-NAND, capaz de ultrapassar as 400 camadas por chip individual. No entanto, produzir estruturas tão densas cria desafios técnicos significativos, incluindo deformações físicas das superfícies de silício e problemas de alinhamento durante o empilhamento. Ao empilhar módulos já verificados, aumenta-se significativamente as taxas do chip final ser totalmente funcional.

Infelizmente, nada disto se traduz, de forma imediata, em benefício directo para os consumidores. Estes chips permitirão criar SSDs de alta-densidade, potencialmente com petabytes, em volumes compactos, que serão destinados ao segmento dos data centers. Eventualmente poderão chegar a produtos como SSDs de consumo, mas isso ainda estará a muitos anos de distância.