Depois de vermos a Intel ter dado o salto para os transístores 3D, é agora a vez da Samsung recorrer a técnica idêntica para criar um chip de memória Flash construído na vertical em 3D. À medida que a electrónica vai ficando cada vez mais reduzida, os fabricantes têm que arranjar novas formas de manter a evolução - e felizmente têm conseguido fazê-lo, mesmo quando parece que se aproximam de barreiras insuperáveis.
Com este método de fabrico na vertical (V-NAND), a Samsung consegue colocar mais bits de memórias flash na mesma área, e com a vantagem adicional de aumentar a sua fiabilidade (2-10x superior) e também a velocidade de escrita, que passa para o dobro. Benefícios que em breve deveremos poder usufruir em todos os equipamentos que usem destes tipo de memórias, que vão desde os equipamentos mobile aos cada vez mais populares SSD, sem esquecer os cartões de memória e pens USB.
O primeiro chip terá capacidade de 16GB, mas esperemos que rapidamente a Samsung acelere o passo e disponibilize versões maiores, dando uso à maior densidade destas memórias, e - quem sabe - tornando mais comum o aparecimento de smartphones e tablets com 64 e 128GB de memória flash a preços acessíveis.
Sem comentários:
Enviar um comentário (problemas a comentar?)