A Samsung pode ser a maior produtora de memória Flash, mas também tem disponível um tipo de memória que poderá tornar a memória Flash NAND obsoleta: a memória MRAM.
Ao contrário da memória NAND, que actualmente domina as aplicações onde é necessária memória não volátil (como a dos SSDs, pens SUB, e no interior dos nossos smartphones), a memória MRAM consegue obter o mesmo efeito de retenção dos dados sem necessidade de energia, mas usando um efeito magnético. Uma das grandes vantagens imediatas, é que esta memória dispensa o tradicional ciclo de apagar um bloco de memória antes de poder ser reescrita - como é necessário nas memórias NAND - tornando-as cerca de mil vezes mais rápidas nesta operação. As MRAM têm ainda vantagens a nível de longevidade, ciclos de escrita, e eficiência energética, usando tensões mais reduzidas que as memórias Flash.
Um dos problemas era o de terem um tamanho superior ao das células NAND, coisa que a Samsung compensa ao demonstrar a capacidade de fabricar as MRAM em 28nm; e neste caso, estamos a falar de eMRAM (embedded MRAM) destinada à integração directa em SoCs, sendo compatível com a maioria dos processos de fabrico actuais.
Pelo menos numa primeira fase, é possível antever a utilização de blocos de MRAM como cache de escrita de dispositivos com memórias Flash, servindo como forma de acelerar drasticamente as escritas, e de simultaneamente poupar os ciclos de escrita nas mesmas. A Samsung diz que ainda este ano conta ter chips eMRAM de 1Gb disponíveis.
Sem comentários:
Enviar um comentário (problemas a comentar?)