Os mais recentes chips de memória flash UFS 3.1 da Samsung prometem acelerar substancialmente o desempenho nos smartphones.
Tal como os SSDs NVMe têm sido responsáveis pela maior aceleração dos computadores nos últimos anos, também nos smartphones começa a ser cada vez mais crítica a velocidade das memórias flash. Com o UFS 3.0 e 3.1 as velocidades têm subido consideravelmente, mas a Samsung anunciou o início da produção em volume de novos chips UFS 3.1 ainda mais rápidos.
Este chip UFS 3.1 de 512 GB será mesmo à medida da próxima geração de smartphones topo de gama (e já são usados nos Galaxy S20). Embora no campo das velocidades de leitura o valor se mantenha idêntico ao dos chips da geração anterior (2.1 GB/s), na escrita sequencial assistimos a melhorias substanciais, passando de 410 MB/s para 1.2 GB/s. Nos IOPS de leitura também se aumenta de 63 mil para 100 mil; embora nos de escrita a melhoria seja mais modesta, de 68 mil para 70 mil.
Para além dos chips de 512 GB, destinados aos topos de gama, também ficarão disponíveis chips de 256 GB e 128 GB para os demais modelos que desejem tirar partido da máxima velocidade possível nas suas memórias flash.
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