A SK hynix apresentou a primeira memória NAND flash UFS 4.1 do mundo com 321 camadas, pensada para os smartphones mais avançados. Em comparação com a geração anterior de 238 camadas (lançada em 2022), esta nova versão oferece leituras aleatórias 15% mais rápidas, escritas aleatórias 40% superiores, e velocidades de leitura sequencial até 4.3 GB/s - o máximo suportado pela interface.
Além disso, o chip é agora mais fino, com apenas 0.85 mm de espessura (menos do que os 1 mm anteriores). Pode parecer pouco, mas é uma vantagem importante para smartphones mais finos. Esta nova geração é também 7% mais eficiente em termos energéticos, ajudando a reduzir o aquecimento e a melhorar a autonomia. Segundo a SK hynix, estas melhorias vão acelerar o carregamento de modelos AI na memória RAM e tornar a experiência multitarefa mais fluida. No entanto, os novos chips só estarão disponíveis com 512 GB ou 1 TB, sem versões com 256 GB, o que poderá influenciar a escolha do próximo smartphone.
A produção em massa está prevista para o início de 2026, com as primeiras encomendas a serem fechadas ainda este ano. A empresa está também a trabalhar em chips com esta mesma tecnologia de com 321 camadas para SSDs, tanto para dispositivos destinados a data centers como para os consumidores.
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